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CCD/CMOS 与 PMT/CPMS 技术:揭秘 OES 分析的最佳检测器

5 月 08, 2025
PMT vs. CMOS/CCD Technology

CCD/CMOS 是光谱仪未来发展的方向。

Optical Emission Spectrometers (OES) 借助检测器将入射光(光信号)转换为电脉冲,随后对其进行定量测量,并结合数据库进行比对,最终得出所需结果 —— 即被测量物质中的元素含量。

自 1930 年光电倍增管 (PMT) 问世以来,便成为 OES 制造商的首选检测器。那时,光电倍增管被视为尖端技术,因其取代了此前一直作为主流的摄影底板。借助 PMT,仪器实现了测量自动化。这使 PMT 迅速占领市场,不久后几乎每种 OES 都采用这种检测器。在之后的数十年间,PMT 不断优化,并在 20 世纪 80 年代末达到技术巅峰。然而,与每种技术的发展规律相同,此后光电倍增管的技术发展陷入了停滞,一种更新、更现代化的技术应运而生。

CCD 虽于 1969 年发明,但直到 20 世纪 80 年代末才开始在工业领得到常规应用。将 CCD 引入光谱分析领域,无疑标志着以 PMT 为核心的光谱仪及其他诸多设备走向衰落的开端。不过,直到如今,随着新兴技术日益成熟,其取代旧技术的趋势才愈发清晰,成为必然趋势。

此前,电荷耦合器件 (CCD) 线阵检测器技术已在光学领域得到应用,但到 20 世纪 90 年代,该技术取得了突破性进展,足以满足光谱分析这类高精度应用的需求。CCD 具备诸多优势:体积更小、重量更轻,且每个检测器上的像素密度更高(而 PMT 属于单像素检测器),几乎能满足研发设计工程师对检测器的所有要求,而且其灵敏度也在迅速提升。所以光谱仪也得到了迅速发展。世纪之交时,所有知名的 OES 制造商都已开始评估 CCD,并推出基于该技术的光谱仪型号。自此以后,这一发展势头从未减弱;CCD 检测器技术进步迅猛,如今已应用于各类高端领域,包括航天应用、卫星成像,等,当然也包括光谱分析中的高端应用场景。

PMT 与 CMOS/CCD 技术
作为 OES 制造商,我们对各类检测器进行了全面评估,并最终选择 CCD 作为首选检测器。随着技术的进一步发展,此前虽在成本和可扩展性上具备优势,但性能一直落后于 CCD 的 CMOS 技术也开始加速发展。到 21 世纪初,最新一代 CMOS 检测器在部分性能方面已能与 CCD 持平,甚至超越。与 PMT 相比,这些检测器在几乎所有参数上都更具优势。作为行业领先者,我们率先对 CMOS 检测器进行了评估与采用,早在 2016 年就推出了首款搭载 CMOS 的 OES。如今,我们的开创性举措已得到几乎所有同行的效仿。

如今,CMOS/CCD 检测器已在全球范围内被公认为适用于各类光谱仪应用的最佳检测器,即便在(尤其是在)最高端应用中。

然而,我们仍会遇到一些认为 PMT 更具优势的客户,或是受到少数竞争对手营销策略的误导 —— 这些竞争对手尚未能在其仪器中优化 CMOS/CCD 技术,因此仍固守 PMT 检测器。本文档旨在澄清一些常见误解,并向用户介绍不同检测器之间的差异及其性能特点。

PMT(光电倍增管)检测器

简而言之,PMT 是一种单像素检测器,因此每个 PMT 仅能检测一种波长 —— 即其专门校准的特定波长。作为一种近乎淘汰的传统器件,PMT 是真空管时代的遗留产物。每个 PMT 先捕获发射的光子,然后其光阴极层将这些光子转化为电能。随后,倍增极会将这一电荷放大数倍,使其达到仪器可读取的水平。PMT 有不同的规格和类型,价格也因此存在差异。例如,光谱仪深紫外光波段所用的 PMT 的价格是可见光波段所用 PMT 的数倍。通道式光电倍增管(也称 CPM)是 PMT 的另一种变体,它采用狭窄的弯曲半导体通道来实现与传统倍增极链相同的功能。因此,CPM 在本质上与 PMT 一致,优缺点也完全相同。从根本上说,PMT(与其他固态器件相比)体积较大,属于单像素检测器,具有信号放大效果优异、响应速度近乎即时(因其可算作模拟器件)的特点。PMT 的优缺点总结如下:

PMT/CPM 的优点

PMT/CPM 的缺点

  • 响应速度快 —— 本质为模拟器件
  • 灵敏度高 —— 借助多倍电荷放大技术
  • 检测器噪声低 —— 支持低含量物质分析
  • 技术成熟度高 —— 数十年间广泛应用于各类场景
  • 体积较大,导致光学系统中可容纳的检测器数量受限
  • 每覆盖一个波长需配备一个独立 PMT
  • 能耗较高
  • 探测器尺寸限制与调节范围受限,导致设计灵活性较低
  • 成本高昂 —— 所需探测器数量与覆盖波长数量一样

CMOS/CCD 探测器

CMOS(互补金属氧化物半导体)与 CCD(电荷耦合器件)均为固态探测器,可将入射光子转换为电信号。这类探测器的核心优势源于其固态器件的本质 —— 结构极为紧凑,且每个探测器均包含数千个像素,每个像素都可视为一个独立探测器,因其输出信号可单独测量。因此,从技术层面而言,一款 2048 像素的探测器能够覆盖 2048 个独立波长。鉴于这类探测器的超小体积,采用其设计的光谱仪可覆盖光的全部波长,无需像 PMT 探测器那样牺牲性能。

CCD 是最早出现,的此类器件,早在 20 世纪 80 年代末,线性 CCD 探测器便首次应用于光谱仪中。不过在当时,相较于 PMT 探测器,CCD 探测器存在噪声更高、速度更慢、灵敏度更低的问题,因此仅被认为适用于基础款及入门级光谱仪产品。随着更多人才与理念涌入该领域,固态器件技术实现了跨越式飞速发展。到 20 世纪 90 年代中期,CCD 探测器的性能大幅提升,开始应用于中端 OES,甚至能够完成低含量氮元素的分析工作。进入 21 世纪 10 年代后,CCD 与 CMOS 探测器在灵敏度、噪声水平、响应速度等 PMT 器件的核心优势领域实现反超。如今,最新型的 CCD/CMOS 器件在光谱仪相关的几乎所有性能参数上,均展现出更卓越的表现。事实上,CMOS 探测器目前实现的探测下限已低于 PMT,并且支持各类高端功能,包括时间分辨光谱技术 (TRS)、单火花分析,以及一系列性能更优的功能与分析优势。

注:尽管 CMOS 探测器已取代 CCD 探测器,但无论是制造商还是用户,在指代所有这类固态器件时,仍普遍使用“CCD”这一术语。

PMT OES 与 CMOS/CCD OES 对比

输出参数 —— 涵盖元素种类、探测下限、功能配置等。

参数 1

元素覆盖范围:

通道/谱线数量;涵盖元素数量

CPM/PMT 光谱仪

对于需多校准的用户,PMT OES 交付时通常最多可分析 40 种元素,这一限制源于 PMT 器件本身的物理特性。PMT 是一种体积较大的单像素探测器。单个 PMT 仅能探测一条谱线,因此,每增加一条需分析的谱线,就需额外添加一个探测器。由此可见,谱线数量受探测器数量与安装空间的双重限制。通常,一款 PMT OES 配备约 50 个 PMT 探测器。即便是超大尺寸的设备,其 PMT 数量上限也通常在 100 个左右。而分析单一元素时,至少需要一条谱线,且随着分析范围扩大,通常需要更多谱线。根据校准需求的不同,为实现最优分析效果,单一元素甚至可能需要分析 6-7 个不同波长的谱线。因此,即便是搭载 100 个 PMT 的高端 OES,其元素覆盖能力也远不及一款中端 CMOS/CCD OES。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

即便是最紧凑的 CMOS/CCD 探测器,也至少具备 2048 个像素 —— 每个像素仅可探测一个波长。MPA 所用的 CMOS/CCD 探测器,像素数量最高可达 3648 个(每个像素均为一个可分析的“通道”或“线谱”);而高端 OES 则搭载数十个 CMOS/CCD 探测器, 这意味着可轻松实现数万条谱线的分析。如今,最紧凑的 CMOS/CCD OES(Metal Power Analytical 的 MOSS系列),标配配置即可覆盖 35 种以上元素。而 Metavision-10008XMetavision-1008i
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等高端型号,更是能实现 60 种以上 元素的分析。这一优势的实现,完全依托于探测器本身的性能。由于 CMOS/CCD 探测器不受“单个探测器仅对应一条谱线”的限制,其工作光谱范围内的所有谱线均可被覆盖;因此,借助 CMOS/CCD OES,理论上可实现元素周期表中所有元素的分析。

参数 2

分析范围:

元素探测下限

CPM/PMT 光谱仪

历史上,PMT OES 被认为在低含量痕量分析与高纯度金属分析领域更具优势。原因是其具备 TRS 分析能力及高灵敏度。但如今,这些优势已不复存在,,因此,在探测下限这一指标上,当前的 PMT OES 已无法与 CMOS/CCD OES 媲美。在绝大多数情况下,PMT OES 的探测下限均劣于同类型 CMOS/CCD OES。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

随着灵敏度与响应速度的提升,CMOS/CCD 探测器已可支持时间分辨光谱 (TRS)、单火花分析,并能实现良好的信噪比。结合低温冷却光学系统,此类光谱仪的探测下限进一步降低, 性能超越 PMT 光谱仪。例如,在纯铜分析中,可将硒、碲、铋的探测下限降至亚 ppm(百万分之一)级别;在钢材分析中,可将碳、氧、氮的探测下限控制在 1ppm 级别。如今,Metavision CMOS/CCD OES 可轻松完成纯度 99.99 %+的纯金属分析,高端型号的分析纯度上限更高。

参数 3

波长范围/跨度

CPM/PMT 光谱仪

与 CMOS/CCD OES 不同,PMT-OES 制造商的范围指的是他们可以“放置”PMT 的可用区间。 PMT OES 的波长范围并非指该范围内所有波长均被覆盖,而仅表示“有可能在该范围内部署 PMT 探测器”。尽管宣传部分 PMT OES 可覆盖全波长范围,但这类设备存在显著局限性 —— 因此,无论其宣称的波长范围/跨度如何,连利用最优谱线进行分析都难以实现。最终导致其在谱线组合选择与元素覆盖范围两方面,均需做出性能妥协。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

波长范围可达 120–800nm,甚至更广。借助 CMOS/CCD 探测器,指定波长范围内的整个工作光谱均可被完整覆盖,对于该范围内的任意元素,无论是通过出厂校准,还是后续(包括现场)追加校准,均可实现精准分析。

参数 4

功能配置

CPM/PMT 光谱仪

PMT OES 在可溶性/不可溶性分析方面效果无异。其他功能则因制造商不同而存在差异。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

如今,Metavision CMOS/CCD OES 具备完整的功能配置,包括夹杂物的可溶性/不可溶性分析、用于优化熔炉操作的熔体添加程序、自动牌号识别、自动基体/基底识别等。

参数 5

精密度与准确性

CPM/PMT 光谱仪

PMT 探测器体积较大,且单个探测器仅能对应一个波长。这一特性导致两大问题:

  • 探测器之间无法近距离部署 —— 因此,若两条优质谱线的波长极为接近(实际 应用中极为常见),受限于探测器体积,制造商只能做出妥协,放弃其中一条谱线
  • 由于,光学系统中可物理容纳的探测器数量有限,谱线组合也受到极大限制!因此,部分 元素的某些分析范围,难免会成为“妥协后的解决方案”

最终,受 PMT 固有局限性的制约,PMT OES 需在设计上做出妥协,因此其性能劣于 CMOS/CCD OES。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

与 PMT OES 相比,Metavision CMOS/CCD OES 在全分析范围内均展现出更优异的性能。这得益于我们能够 在完整光谱中,为每种元素优化选择谱线组合与参比谱线。这使得该类型光谱仪可使用的谱线组合数量,远多于 PMT OES。因此,对于每种元素,在分析范围的每个区间,Metavision CMOS/CCD OES 都能对所用谱线进行优化,进而实现 更高的准确度与精密度。

灵活性与可扩展性

参数 1

可升级性 —— 售后追加谱线(设备安装后新增元素分析功能)

CPM/PMT 光谱仪

通常无法实现;即便可行,成本也极高。

由于单个 PMT 探测器仅能探测一条谱线,每新增一条谱线就需额外添加一个探测器。即便仅新增一种元素,也至少需要新增一条谱线,通常情况下需新增更多谱线。这需要在光学系统内部添加硬件。需将设备送回制造商进行此类升级操作,不仅耗时极长,成本也极为高昂。因此,大多数用户在初始购买后,,从未进行过谱线追加。超过特定限度后,谱线追加会完全无法实现,原因是光学腔室已无法容纳更多探测器。此时,无论成本高低,设备都无法再升级。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

可在现场轻松完成,且成本经济。

无需添加硬件,也无需拆解仪器。时间与成本投入均较低。MPA 可 完全在现场完成此类操作,无需运输设备。这使得用户在购买时,仅需选择当前所需的谱线,后续可根据需求,轻松且 经济地为设备追加分析功能。

参数 2

可升级性 —— 售后追加程序(设备安装后新增基体/基底):

CPM/PMT 光谱仪

成本高到令人却步。

由于需要添加硬件,且硬件需安装在光学腔室内,必须将仪器送回制造商处,因此耗时极长。这种操作不仅会中断工作,成本也极高。此外,若光学腔室已无法容纳更多探测器,即便愿意承担成本,也完全无法实现升级。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

可在现场轻松完成,且成本经济。

如前文所述,无需添加任何硬件。因此,新增基体、基底及元素的分析功能,均可在现场轻松且 经济地完成,对运营的干扰极小

易用性 —— 操作、日常任务与常规维护

参数 1

谱图校准

CPM/PMT 光谱仪


需定期进行手动谱图校准。
.

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

具备自动/自主谱图校准功能。

参数 2

预热时间

CPM/PMT 光谱仪

需数小时(部分型号从冷启动到就绪甚至需一整天)。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

从冷启动开始,45 分钟内即可就绪;高端型号最快仅需 15 分钟

参数 3

分析时长

CPM/PMT 光谱仪

PMT OES 通常需较长时间才能得出分析结果。多数 PMT 光谱仪的分析时长在 30 至 60 秒之间

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

借助固态器件的性能优势,Metavision CMOS/CCD OES 光谱仪可快速输出分析结果,针对高通量用户的需求,10 秒内即可完成分析。针对各型号的常规分析需求,根据应用场景不同,分析时长在 10 至 20 秒之间。

参数 4

稳定性

CPM/PMT 光谱仪

PMT OES 通常需要更频繁地进行标样。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

Metavision CMOS/CCD OES 在长时间运行中仍保持卓越稳定性,可连续数天无需重新–标样。

参数 5

重新标样

CPM/PMT 光谱仪

PMT OES 通常仅支持多点重新标样,这一局限并非源于 PMT 探测器,本身,而是 因为此类仪器技术已极为老旧。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

Metavision CMOS/CCD OES 具备单样品重新标样功能,能为用户节省大量时间。同时,仍保留多点重新标样选项,满足有需求的用户使用。

参数 6

设备尺寸

CPM/PMT 光谱仪

体积相对非常大;即便配置较低、定位入门级的小型 PMT OES,其尺寸也远超体型最大的 CMOS/CCD OES —— 原因在于 PMT 需使用大型探测器,且需配备庞大的光学系统、机械结构以容纳所有组件,此外还需搭载真空泵。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

即便体型最大的落地式 Metavision CMOS/CCD OES,也比任何 PMT OES 更紧凑,原因是此类设备无需配备真空泵,此外 CMOS/CCD 探测器本身小巧紧凑,而且其光学系统也更为紧凑。

生命周期成本与风险

参数 1

购置成本

CPM/PMT 光谱仪

PMT OES 的价格始终高于同级别 CMOS/CCD OES。这类设备需配备更多探测器,更多电子元件 ,当然还包括真空系统与更大体积的光学系统 —— 这些因素共同导致其价格远高于任何 CMOS/CCD OES。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

Metavision CMOS/CCD OES 在各级别产品中均具备极高的成本经济性。从支持氧元素(10ppm 级别)分析、可溶性/不可溶性分析等功能的中端型号,到实现氧、碳、氮等元素 1ppm 级别探测下限的,高端型号,MetavisionCMOS/CCD OES 均具有无与伦比的性价比。此外, 其价格普遍远低于任何 PMT OES。

参数 2

耗电量

CPM/PMT 光谱仪

典型的 PMT OES 耗电量超过 2 千瓦,不仅能耗高,维护成本也更高。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

CMOS/CCD OES 能耗极低。以 Metavision OES 为例,待机状态耗电量仅 50 瓦,分析过程中耗电量也仅为 120 瓦。

参数 3

风险 —— 真空泵引发的风险

CPM/PMT 光谱仪

PMT OES 需配备高真空泵。这一组件会对光学系统造成损害:一旦发生机油回流,光学系统将遭损坏。同时,真空泵还会增加空间需求,提升耗电量与维护成本(如机油等)。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

CMOS/CCD OES 无需配备真空泵。其采用充氩密封式光学系统,因此不存在此类 风险。

参数 4

备件费用

CPM/PMT 光谱仪

PMT 探测器故障率较高,需要换新。PMT 探测器本身价格昂贵,尤其是紫外波段的PMT。此外, 真空泵的使用寿命远短于 OES 本身。因此,PMT OES 的维护费用远高于 CMOS/CCD。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

费用极低,甚至可忽略不计。CMOS/CCD 探测器的应用场景极为广泛,从太空探测器、光谱仪到其他各类设备均有使用。此外,Metavision OES 中的 CMOS/CCD 探测器置于密封光学系统内部。因此,这类探测器几乎无需更换或维修,备件费用极低。

参数 5

技术淘汰

CPM/PMT 光谱仪

PMT 技术正逐步被淘汰,而 CMOS/CCD 技术是当前及未来 OES 的主流方向。全球目前仅 2-3 家企业仍在生产 PMT,且在过去 5 年中,这些企业均尝试推出过 CMOS/CCD 型产品。PMT 技术已走到生命周期尽头,购买 PMT OES 的用户如今将面临严重的技术淘汰风险。对比之下,OES 设备的使用寿命长达数十年!一款本就价格高昂的产品,在技术淘汰后还需承担高额维护成本 —— 这无疑加剧了“初始购置时选择更贵却更低性能产品”所带来的问题。

Metavision CMOS/CCD 光谱仪

CMOS/CCD 技术是核心研究领域,其性能水平正持续快速提升。因此,CMOS/CCD 探测器将长期存在,未来数十年内完全不存在技术淘汰风险。事实上,当前所有新型 OES 均基于 CMOS/CCD 技术研发,也印证了这一点。
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